高压对直拉硅单晶中氧沉淀的影响
本文研究外加高压(1GP)对硅片在低温、中温和高温热处理过程中氧沉淀生成的影响.通过透射电镜观察发现氧沉淀的形态和大小与常压下处理的有很大不同,这表明施加在硅片上的高压对氧沉淀的生成有很大影响.透射电镜观察表明,在高压下低温和高温热处理形成的氧沉淀,稳定存在的半径都远小于常压下相同温度热处理生成的氧沉淀的半径,这表明高压有利于小直径氧沉淀的稳定存在,这与高压对点缺陷浓度和临界形核半径的影响有很大关系.
直拉硅单晶 氧沉淀 外加高压
徐进 杨德仁 马向阳 阙端麟 A.Misiuk
浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
国内会议
深圳
中文
39-41
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）