杂质随机分布对双栅MOSFET的影响

摘要：

基于双栅MOSFET的阈值电压模型,从理论上推导出沟道区杂质数统计涨薄引起阈值电压变化的标准偏差.利用二维数值模拟研究了杂质涨薄引起的阈值电压变化与器件参数的关系,模拟结果与理论模型的预测基本一致.通过模拟垂直于沟道方向不同位置杂质涨落的影响,证明双栅MOSFET与单栅MOSFET相比,可以有效抑制杂质随机分布的影响.

关键词： 双栅MOSFET 阈值电压模型 器件参数

作者: 甘学温 夏令 张兴

作者单位: 北京大学信息科学技术学院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 388-390

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）