一种新型SiGe/Si快速软恢复二极管的研究

摘要：

介绍了在本征I基区采用掺杂浓度两层渐变式结构的SiGe/Si异质结开关功率二极管.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正反向I-V特性基本不发生改变的前提下,得到了与I区固定掺杂结构相比更好的反向恢复特性,软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.本文随后对渐变掺杂所得到的优越性能进行了理论分析,并对层段厚度的比例进行了优化设计.

关键词： 异质结开关功率二极管 正反向I-V特性 渐变掺杂

作者: 马丽 高勇

作者单位: 西安理工大学电子工程系(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 378-382

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）