SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究

摘要：

本文对SOI MOS器件热载流子效应产生的机理进行了分析,并采用器件模拟的方法,对SOI NMOSFET和SOI PMOSFET的热载流子效应进行了研究分析.

关键词： 热载流子效应 模拟研究 SOI MOS器件 器件模拟

作者: 林青 朱鸣 吴雁军 张正选 林成鲁

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 316-318

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）