超薄栅介质MOS结构中的电致光子泵效应

摘要：

自1968年起,对于SiO<,2>的蜕变与击穿是由于电应力导致缺陷产生的论点,已经历了长达三十多年的研究,产生了多种模型解释.其中有两种主流模型可用于TDDB(时变相关介质击穿).

关键词： 超薄栅介质 MOS结构 电致光子泵效应

作者: 谭长华 许铭真 何燕冬

作者单位: 北京大学微电子研究院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 310-311

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）