氧氮共注SOI材料结构与注氮剂量研究

摘要：

采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质存在很密切的关系,埋层的绝缘性能和埋层中的断键是提高器件抗辐射效应的关键因素.

关键词： SOI材料 注氮剂量 氧氮共注 SIMON圆片

作者: 张恩霞 易万兵 陈孟 张正选 王曦 张国强 刘忠立 范凯 李宁

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海);上海新傲高科技有限公司(上海) 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 29-31

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）