一种预测FLOTOX EEPROM可靠性的方法

摘要：

本文提出一种预测FLOTOX EEPROM可靠性的方法,该方法利用EEPROM擦写过程中隧道氧化层中的陷阱电荷的产生时间常数与阈值窗口开始关闭的时间成正比来预测脉冲应力电压相对较低时的阈值窗口关闭的时间,该方法与”利用脉冲应力相对较高情况下的阈值窗口开始退化的时间来预测脉冲应力电压相对较低时的阈值窗口退化的时间”相比,大大节约了测量时间.

关键词： FLOTOX EEPROM 可靠性 阈值窗口

作者: 解冰 许铭真 谭长华

作者单位: 北京大学微电子研究院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 279-280

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）