SiGe pMOS量子阱沟道中载流子面密度研究

摘要：

本文建立了SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的准静态物理模型,讨论了器件结构中δ-掺杂层的杂质浓度与体征层厚度与空穴面密度的关系,以及栅压与空穴面密度的关系.最后,讨论了在准静态情况下沟道中空穴面密度对沟道跨导的影响.

关键词： SiGe pMOS 量子阱 载流子面密度

作者: 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 舒斌 姜涛 吕懿 王喜媛

作者单位: 西安电子科技大学微电子研究所(陕西西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 267-272

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）