用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜

摘要：

采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O<,2>或N<,2>气氛下迅速退火以及N<,2>气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结晶性能的影响;同时借助X射线光电子能谱(XPS)研究了靶材及氧化铪薄膜退火前后的成分与化学配比,电子结合状态情况;最后采用扩展电阻测量法分析了氧化铪薄膜的电介质绝缘性能.

关键词： IBED方法 SOI 氧化铪薄膜 离子束辅助增强沉积系统 X射线衍射技术 电介质绝缘性能

作者: 邢玉梅 陶凯 俞跃辉 宋朝瑞 郑志宏

作者单位: 半导体功能薄膜工程技术研究中心,中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 26-28

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）