多晶硅RCA晶体管的异质结等效模型

摘要：

本文采用一种异质结等效模型解释多晶硅RCA晶体管的高增益.将多晶硅与单晶硅之间的氧化硅等效为一宽禁带的介质层,由于势垒的作用限制了空穴由发射极单晶硅向发射极多晶硅的渡越,从而提高了晶体管的发射效率,大大增加了电流增益.将模型的计算结果与双层多晶硅RCA晶体管实验结果作了对比,两者符合得很好.

关键词： 多晶硅 晶体管 异质结等效模型

作者: 金海岩 张利春 高玉芝 叶红飞

作者单位: 北京大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 257-260

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）