场板结构高压MOSFET的测试模拟与分析
研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和磁撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决定器件的击穿特征.通过对实验研究与计算机模拟结果的分析,表明在不同的栅压下,此处场板长度的大小对栅下电场强度有直接的影响,合理地控制场板长度能有效的提高器件的击穿电压.
场板结构 MOSFET 测试模拟 场板终端技术
赫晓龙 姚素英 赵毅强 王培林 Ganming Qin 王传政
天津大学电子信息工程学院(天津) 摩托罗拉DDL China CSC/STC(北京)
国内会议
深圳
中文
245-249
2003-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)