SiGe CMOS研究

摘要：

本文在研究SiGe CMOS器件结构基础上,模拟分析了器件输出特性、跨导管主要电参数与器件几何结构参数、材料物理参数的关系.根据模拟结果,分析讨论了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份及Si”帽”层厚度等结构参数对nMOS、pMOS特性的影响.

关键词： SiGe CMOS 器件输出特性

作者: 郝冬艳 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 吕懿 姜涛 舒斌 王喜媛

作者单位: 西安电子科技大学微电子所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 232-236

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）