超薄Si<,3>N<,4>/SiO<,2>(N/O) stack栅介质及器件研究

摘要：

成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm的N/O(Si<,3>N<,4>/SiO<,2>)stack栅介质,并深入研究其性质.研究结果表明,同样EOT的N/O stack栅介质和纯SiO<,2>栅介质比较,前者在栅隧穿漏电流,可靠性等方面都远优于后者.在此基础上,我们采用N/O stack栅介质制备出栅长为0.12nm的性能优良的CMOS器件.

关键词： stack栅介质 SiO<,2>栅介质 CMOS器件

作者: 林钢 徐秋霞

作者单位: 中国科学院微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 228-231

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）