采用槽终端技术的微波功率晶体管集电结反向击穿电压研究
本文分析了采用槽终端技术的微波功率晶体管集电结的反向击穿电压特性.对这种结构的器件进行了计算机模拟和工艺实验.模拟结果表明,在槽宽为2μm情况下pn结的反向击穿电压可以达到理想平行结击穿电压的88％,相对无隔离槽的pn结击穿电压只能达到理想平行结击穿电压的59％来说有了很大的提高.测试结果也证明采用槽终端技术能够明显提高微波功率晶体管集电结的反向击穿电压,并且这种技术还具有与普通的平面工艺兼容性好、不影响器件的频率特性等优点.
槽终端技术 微波功率晶体管 反向击穿电压
叶红飞 蔡勇 张利春
北京大学微电子所
国内会议
深圳
中文
225-227
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）