UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层制备高频肖特基势垒二极管

摘要：

采用自行研制的新一代超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,在550℃下,N型重掺Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层,并利用扩展电阻(SRP)和摇摆曲线对外延层进行了检验和评定.结果表明,外延薄膜质量较好,没有明显的位错和缺陷,外延层厚度为0.5μm,掺杂浓度为重掺10<”17>cm<”-3>,界面过渡区陡峭.在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件,截止频率达到31GHz,与传统的硅基肖特基二极管相比有了大幅提高.

关键词： 薄硅外延层 高频肖特基势垒二极管 超高真空化学气相沉积

作者: 吴贵斌 叶志镇 黄靖云 崔继锋 赵炳辉

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 222-224

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）