立式高真空MOCVD系统及GaN外延生长与应用

摘要：

自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置,能够较好的调节反应气体的流动状态,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层.利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功的生长出高质量的GaN晶体薄膜.在蓝宝石衬底上生长出n、P型GaN以及多量子阱多层结构材料,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管,性能良好,具有实用价值.

关键词： MOCVD系统 GaN 外延生长

作者: 叶志镇 朱丽萍 赵炳辉 倪贤锋 赵浙

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 209-211

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）