重掺硅衬底片的内吸除效应

摘要：

本文研究了重掺P型(B)和重掺N型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现增强了氧沉淀现象,不同掺杂剂对重掺硅单晶中氧沉淀形态有所不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.

关键词： 重掺硅衬底片 内吸除效应 单晶片 氧沉淀现象

作者: 张红娣 张建强 乔治 张建峰 郝秋艳 李养贤 刘彩池

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 200-202

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）