太阳电池硅片中碳的热行为及对氧沉淀影响的研究

摘要：

为研究太阳电池硅片中碳对氧沉淀的影响,以及热处理对少子寿命的影响,实验中采用氧含量相差较小,碳含量差别较大的p型(100)直拉硅(Cz-Si)片,设计了不同温度、气氛的热处理工艺.发现:1050℃高温处理后碳-硅-氧复合体很难形成,少子寿命有所降低;热处理后发现低碳样品中碳不参与氧沉淀的长大,而高碳样品中碳参与氧沉淀的长大;且高碳样品有利于氧沉淀的形成.

关键词： 太阳电池硅片 碳 热行为 氧沉淀 热处理工艺

作者: 霍秀敏 傅洪波 赵秀玲 任丙彦 王会贤 曹中谦 张学强 刘彬国

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 宁晋晶隆半导体厂(宁晋)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 197-199

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）