快速退火对Φ8英寸CZSi单晶中原生微缺陷的影响
本文利用快速退火的研究方法对Φ8英寸直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行了观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N<,2>、N<,2>/O<,2>(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180秒可以显著降低硅片表面的FPDs.
快速退火 CZSi单晶 原生微缺陷 快速热处理
郝秋艳 乔治 孙建忠 张建峰 任丙彦 李养贤 刘彩池 周旗钢 王敬
河北工业大学信息功能材料研究所(天津) 北京有色金属研究院(北京)
国内会议
深圳
中文
177-179
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）