背场烧结工艺中吸杂对单晶硅片氧碳及少子寿命的影响

摘要：

本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的P<100>CZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电转换效率有直接影响,Si-Al合金层烧结产生的晶格应力对杂质起到有效吸附作用,从而减少了wafer体内的载流子复合中心,提高了光生载流子的扩散长度,使非平衡少子寿命提高.Al背场厚度不同对太阳电池的参数带来一定的影响.

关键词： 背场烧结工艺 单晶硅片 少子寿命 Si-Al合金

作者: 左燕 赵龙 张维连 任丙彦 王会贤 曹中谦 张学强 刘彬国

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 宁晋晶隆半导体厂(宁晋)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 174-176

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）