V<,2>O<,5>薄膜的微观结构和电致变色特性的研究

摘要：

采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的V<,2>O<,5>薄膜.X-ray衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)的结果表明,氧分压影响薄膜的成分和生长取向,在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米V<,2>O<,5>薄膜,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.并测试了薄膜具有优良的电致变色的特性.

关键词： V<,2>O<,5>薄膜 微观结构 电致变色

作者: 潘梦霄 曹兴忠 李养贤 王宝义 魏龙

作者单位: 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津);中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室(北京) 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室(北京);兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室(兰州) 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 170-173

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）