P型<100>直拉硅单晶中流动图形缺陷的研究
本文对轻掺硼原生直拉单晶硅(CZSi)中流动图形缺陷(FPDs)在Secco腐蚀液中的形成及其演变过程进行了研究.腐蚀时间分别是5min、10min、15min、30min.取样后用光学显微镜观察了FPDs的宏观形貌及随不同腐蚀时间的密度变化,并用原子力显微镜揭示了FPDs端部结构特征,二者分析结果得到很好的吻合.结合以上观测结果分析了FPDs、Secco腐蚀蚀坑(SEPs)的演变过程.利用激光颗粒记数仪对同一硅片分析了晶体原生颗粒(COPs)缺陷,讨论了FPDs、SEPs与COPs的关系.
直拉硅 流动图形缺陷 激光颗粒记数仪 晶体原生颗粒
张建峰 乔治 张红娣 张建强 郝秋艳 李养贤 刘彩池 周旗钢 王敬
河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 北京有色金属研究总院半导体材料股份有限公司(北京)
国内会议
深圳
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167-169
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）