MOCVD法生长p型ZnO薄膜

摘要：

本文采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法,首先使用NO混合气体作为氧源和掺氮源,在玻璃上生长了低阻p型ZnO薄膜,其最高的空穴浓度为3.94×10<”18>cm<”-3>,电阻率为1.5Ω·cm;并对薄膜进行了X射线衍射测试分析.

关键词： MOCVD法生长 ZnO薄膜 X射线衍射测试分析

作者: 徐伟中 叶志镇 赵炳辉 朱丽萍 周婷 黄靖云

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 165-166

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）