7200V、3000A超高压大功率晶闸管用Φ5″<100>NTD FZSi的研制

摘要：

本文主要介绍了Φ5″<100>区熔硅单晶的生长,及NTD后的热处理,并对整个研制过程中晶体生长理论的几个关键性问题进行了讨论.

关键词： 晶闸管 硅单晶 功率器件

作者: 高树良 刘为钢 沈浩平

作者单位: 天津环欧半导材料技术有限公司(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 157-160

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）