内圆切割硅片表面损伤层的结构

摘要：

通过化学腐蚀、扫描电子显微镜等手段对硅片表面损伤层进行了观察分析,发现损伤层主要由两部分组成,表层是夹杂有金刚砂、硅粉颗粒的非晶层,厚度约为20微米.非晶层下面是大约20微米厚的应力层.整个损伤层的厚度与切割速度由很大的关系,总体看来随着切割速度的增加,损伤层也会相应增加.

关键词： 半导体 损伤层 内圆切割

作者: 张源 谷良茹 徐瑞平 张维连 孙军生 张恩怀

作者单位: 天津市环欧半导体材料技术有限公司 河北工业大学材料学院(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 144-145

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）