晶体生长工艺对固液界面杂质分布的影响

摘要：

本文对不同工艺条件下生长的区熔硅单晶的固液交界面进行了电阻率测试,实验结果表明:在相同的生长工艺条件下,各等温面上具有相同的杂质分布曲线,但在同一等温面上杂质浓度并不相同.通过对不同实验条件下生长的硅单晶电阻率的RRV对比,可以看出设置不对称温度场有利于固液交界面杂质的均匀分布,有利于降低单晶电阻率的RRV值.

关键词： 晶体生长 固液界面 杂质分布 电阻率测试

作者: 郭丽华 李翔 吴燕羽 沈浩平

作者单位: 环欧半导体材料技术有限公司(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 140-141

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）