硅片清洗工艺与粘污杂质成份的分析
Raghavan提出了利用兆声波激发臭氧水对硅片进行清洗;1998年Bakker等人提出了用随着大规模集成电路与超大规模集成电路的发展,在一块芯片上要集成几十万个器件,线条从几十微米发展到仅一微米左右,因而对硅片表面的洁净度要求愈来愈严.硅研磨片表面的洁净度直接影响到后道工序(抛光、扩散)的生产,因此,器件生产厂家对研磨片产品表面洁净度要求的不断提高,引起硅片生产厂家对硅研磨片的清洗工艺的不断革新和改进.国外早就对硅片清洗工艺做了大量研究,目前世界各国在半导体器件生产中普遍采用的是Kern于1970年发明的RCA标准清洗方法.许多研究人员开始致力于新型清洗工艺和清洗剂的研究以取代RCA清洗技术.1996年Cady和Varadarajan提出了采用四甲基氢氧化氨(N(CH<,3>)<,4>OH与羧酸盐缓冲剂配置的碱性水溶液喷雾清洗法;1997年Jeon和水和水/CO<,2>混合溶液在高温、高压下的清洗等等.本文在此介绍一种新型的清洗工艺,它由清洗剂Q325-B和表面活性剂Q325-D配合清洗.它的清洗效果明显优于手工擦洗法.另外,本文还重点对清洗工艺完成后部分硅片表面仍粘有黑点进行了成份测定,以期来指导科学研究和生产.
硅 清洗工艺 RCA清洗技术
王聚安 徐瑞平 刘涛 张维连 张恩怀 陈洪建 孙军生
天津环欧半导体材料有限公司 河北工业大学材料学院(天津)
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133-135
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）