硅片表面损伤层的结构与线切割工艺的关系

摘要：

本文用化学腐蚀的方法,结合金相显微镜和扫描电镜技术研究了线切割硅片表面损伤层的状况.实验指出线切割硅片表面损伤层是由最表面的镶嵌层和其下面的应力层组成.镶嵌层主要由微小的金刚砂颗粒和微小的硅颗粒组成的无序状态,其下面的应力层是由大量晶格缺陷的单晶层组成.线切割加工后的硅片表面损伤层厚度小于常规内园硅片的损伤层的厚度.本文对硅片表面损伤层形成机理进行了简单讨论.

关键词： 硅 表面损伤 切割工艺 化学腐蚀

作者: 谷良茹 张源 徐瑞平 张维连 孙军生 张恩怀

作者单位: 天津环欧半导体材料技术有限公司 河北工业大学材料学院(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 130-132

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）