硅及其化合物半导体材料的刻蚀工艺

摘要：

本文主要分析评述了半导体材料中的硅及其化合物的刻蚀工艺及反应机理,对硅及二氧化硅、氮化硅的不同刻蚀工艺进行了对比分析,并就其发展趋势进行了展望.

关键词： 半导体材料 硅 刻蚀工艺 氮化硅

作者: 赵之雯 檀柏梅 刘玉岭

作者单位: 河北工业大学微电子研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 127-129

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）