非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响
本文通过AB腐蚀、KOH腐蚀,金相显微镜观察,电子探针X射线微区分析(EPMA),对LEC法生长的非掺半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中,位错分布对碳微区分布的影响进行了分析,实验结果表明位错不同分布形态对碳微区分布的影响不同.高密度位错区,位错形成较小的胞状结构,且胞内不存在孤立位错,碳在单个胞的限度内呈U型分布;低位错密度区,位错胞状结构较大,且胞内存在孤立位错,碳在单个胞内呈W型分布.分散排列的位错无论是高密度位错区还是低密度位错区,位错区和完整区的碳浓度变化不大.
砷化镓 碳微区分布 电子探针X射线微区分析 孤立位错
杨新荣 王海云 刘彩池 徐岳生
河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津)
国内会议
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118-121
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）