快中子辐照直拉硅中氧的存在状态与转化
对间隙氧含量高达10<”18>atoms/cm<”-3>的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降低硅中的间隙氧含量,同时可以提高硅的正电子湮没寿命,快中子剂量达到1×10<”18>n.cm<”-2>后,辐照样品中的间隙氧达到一个极小值,随着辐照剂量增加不再减小,而正电子湮没平均寿命达到一个极大值,随着辐照剂量增大不再增大.对辐照剂量最大的样品进行不同温度1小时的等温热处理之后发现,600℃等温处理1小时之后,样品的正电子平均寿命达到一个极大值,而同时间隙氧含量降低到一个极小值,表明氧参与了长寿命四空位缺陷的生成.
快中子辐照 直拉硅 正电子湮没技术
刘铁驹 潘梦霄 马巧云 杨帅 黄千驷 刘彩池 李养贤 李翔 沈浩平 胡元庆 李永章 牛胜利 李洪涛
河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 天津环欧半导体材料技术有限公司(天津) 中国原子能科学研究院(北京)
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108-110
2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）