低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe薄膜

摘要：

利用质量分离的低能离子束技术,得到了重掺杂磁性杂质Fe的Si:Fe固溶体薄膜.俄歇电子能谱法(AES),X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子能谱法(XPS)对薄膜特性进行测试.AES深度分析结果表明Fe离子浅注入到Si衬底,注入深度约为42nm.XRD结构测量发现只有Si的衬底衍射峰,没有其它新相.XPS对样品表面分析发现Fe2p峰束缚能对应于零价Fe,没有硅化物形成.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体薄膜被制备.

关键词： 低能离子束 重掺杂 硅 俄歇电子能谱

作者: 刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京);中国科学院力学研究所国家微重力实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 276-280

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）