H<”+>注入对LiTaO<,3>单晶结构的影响

摘要：

二十一世纪的微电子科学与技术,将使高度集成的IC发展到将整个系统集成在一个系统芯片SOC(System on a chip)上.SOC技术的基础就是材料的集成,将各种不同性能,不同用途的材料与半导体材料结合起来,以此来完成整个系统的性能优化.LiTaO<,3>单晶具有良好的电声学性能,包括这种晶体制成的器件具有良好的抗高温性能,不退磁,不溶于水,化学性质稳定,具有良好的压电性能,机电藕合系数高,声学传输损耗低,是优良的传声介质和高频换能器的材料,广泛应用于电光器件、激光倍频器、声光器件、高频声学表面波滤波器等.

关键词： LiTaO<,3>单晶结构 LiTaO<,3>单晶 电声学性能 抗高温性能 压电性能

作者: 刘卫丽 万青 林成鲁

作者单位: 上海微系统与信息技术研究所半导体薄膜国家工程中心(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 272-275

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）