用卢瑟福背散射/沟道和X射线衍射研究ZnO的弹性应变
在对发光材料的研究中,ZnO以其独特的性质,逐渐成为新世纪材料研究的热点.ZnO是新型Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有与GaN相近的性质<””1”>.如:拥有较宽的直接带隙宽度(E<,g>=3.3eV,与GaN的E<,g>=3.5eV相近),较大的激子束缚能(E<,b>=60meV,而GaN的E<,b>=25meV<””2”>)和较强的近紫外光发射.ZnO的熔点高达2248K,且Zn-O键的结合力大于Ga-N的结合力<””3”>.这些优异的物理性质,使得ZnO在光学材料(如发光二极管),半导体器件等方面有着广泛应用前景,它是继GaN之后的又一新型光电材料.
X射线衍射 弹性应变 ZnO 半导体材料
冯振兴 周生强 侯利娜 姚淑德 王立
北京大学物理学院技术物理系 南昌大学材料科学研究所
国内会议
北京
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268-271
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）