ICP干法刻蚀GaAs背面通孔技术研究

摘要：

低阻抗的背面通孔接地技术能够大大提高GaAs微波单片集成电路的性能.本文利用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl<,2>F<,2>/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl<,2>F<,2>/Ar混合气体组分配比,得到了表面平滑的通孔形貌.最大的通孔刻蚀速率达到了在4.3μm/min.

关键词： 感应耦合等离子体(ICP) 干法刻蚀 通孔技术 GaAs

作者: 陈震 魏珂 王润梅 刘新宇 吴德馨

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 260-263

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）