等离子体刻蚀聚酰亚胺牺牲层技术的研究
本文报道了用于释放聚酰亚胺牺牲层的氧气等离子体刻蚀工艺.研究了材料特性、工艺条件对刻蚀速度和释放结果的影响.结果表明,PI-5型聚酰亚胺在纯O<,2>等离子体刻蚀条件下存在”微掩膜”效应,释放完毕后存在残余、表面状况差的结果.ZKPI型聚酰亚胺释放后无残余,表面状况良好,并且在O<,2>流量150sccm,功率950W的情况下获得了0.16μm/分钟的横向刻蚀速度.本工艺可广泛应用于各类MEMS器件的牺牲层释放.
等离子体 刻蚀工艺 ZKPI型聚酰亚胺 MEMS器件 牺牲层释放
雷啸锋 刘泽文 李志坚
清华大学微电子学研究所(中国北京)
国内会议
北京
中文
256-259
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）