室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格磁学性质研究

摘要：

通过在不同温度下进行Mn离子注入然后进行热退火,在GaAs/AlGaAs超晶格中引入了不同的亚微米磁性颗粒.采用原子力显微镜,能量散射X射线谱,X射线衍射和交变梯度磁强计研究了材料的结构和磁学性质.通过比较它们的饱和磁比强度Ms,剩余磁化强度Mr,矫顽力Hc和剩磁比Sq,我们认为350℃下注入的样品含有MnGa和MnAs两种磁性颗粒,而室温注入的样品主要含有MnAs颗粒.

关键词： 离子注入 磁性颗粒 半导体

作者: 王春华 陈涌海 王占国

作者单位: 中科院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 246-250

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）