推进阱杂质分布的模拟校准

摘要：

本文提出了针对高压工艺推进阱杂质分布的模拟校准方法,通过修改磷杂质的扩散系数、材料界面间的磷杂质的分凝系数和界面传输系数,获得了与实际测试结果相符合的杂质分布结果,为下一步器件特性的准确模拟提供了保障.

关键词： 工艺模拟 校准 杂质分布 推进阱 半导体器件 集成电路 CAD

作者: 刘奎伟 韩郑生 钱鹤

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 238-241

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）