硅ICP同步刻蚀中掩膜对刻蚀特性的影响

摘要：

刻蚀是微器件制作中的关键技术之一,刻蚀结果会直接影响器件的性能.ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术具有刻速快、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好等优点,已经成为了干法刻蚀中的主流技术.本文主要研究了利用国产ICP刻蚀设备,在同步刻蚀技术下进行硅浅刻蚀时,掩膜对刻蚀特性的影响,优化了不同掩膜下的工艺刻蚀参数,并对其结果进行了分析.

关键词： 硅 ICP 掩膜 刻蚀

作者: 樊中朝 余金中 陈少武 严清峰 王良臣

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 231-234

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）