Si、SiO<,2>陡直刻蚀技术研究

摘要：

在ICP-98型高密度等离子体刻蚀机进行了Si、SiO<,2>陡直刻蚀技术的研究,利用双层掩膜技术解决了”微掩膜现象”问题,刻蚀获得了Si和SiO<,2>陡直图形,并将这一刻蚀技术用于AWG的制作.

关键词： 高密度 等离子刻蚀技术 耦合等离子体(ICP)技术 SiO<,2>陡直刻蚀 Si陡直刻蚀

作者: 魏珂 刘训春 曹振亚 王润梅 罗明雄 牛立华

作者单位: 中科院微电子中心(北京市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 227-230

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）