离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究
通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO<,2>上沉积Al<,2>O<,3>薄膜,在能量120keV剂量5×10<”15>cm<”-2>下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低.光透射谱表明几乎所有的测试范围内尤其在1.53um处700℃退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1.53um波长处透射强度随退火温度的变化跟PL谱中发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al<,2>O<,3>的光吸收损耗有一定关系.
EDWA 光致发光 泵谱吸收界面 离子注入法 Er-Al<,2>O<,3>薄膜
肖海波 张昌盛 林志浪 陈志君 张峰 邹世昌
中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室(上海)
国内会议
北京
中文
211-214
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）