AlGaN/GaN HEMT器件隔离研究

摘要：

本文报道了AlGaN/GaN HEMT器件制造中器件隔离工艺的研究结果.我们采用离子注入方法实现了1微米深度的器件隔离.通过对比两种不同缓冲层厚度材料的注入隔离工艺以及对比采用RIE刻蚀和离子注入方法的隔离结果,我们认为:材料的漏电主要存在于外延材料的形核层以及靠近形核层的缓冲层区域.此外,我们的离子注入后器件隔离的热稳定性研究结果表明:经过700℃,90秒的热处理后,器件的隔离仍保持原有的水平.隔离的机理很可能是一种热稳定性较高的载流子俘获中心起主要作用.

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件 离子注入 器件隔离 热处理 热稳定性

作者: 刘键 肖冬萍 魏珂 和致经 刘新宇 吴德馨

作者单位: 中科院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 203-206

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）