碳化硅晶体中惰性气体离子注入引起纳米微空洞的形成机理研究
惰性气体在晶体材料中的溶解度很低(一般低于1ppm),当过量引入时会在材料基体的各类缺陷处析出,形成纳米尺寸的气泡(bubbles).非金属材料(半导体、陶瓷等)中形成的惰性气体泡在远低于材料熔点的温度会发生气体的释放,形成具有超净表面的纳米微空洞(nano-cavities)<”1>.由于这类纳米微空洞在材料基体中引入大量超净表面和自由体积,因而在半导体器件改进以及新材料的合成领域正在找到多方面的用途.
碳化硅晶体 惰性气体 离子注入 纳米微空洞 形成机理
张崇宏
中国科学院近代物理研究所(兰州市)
国内会议
北京
中文
187-189
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）