用紫外荧光法检测微空洞缺陷近距离吸杂效应

摘要：

本研究采用紫外荧光法测量注入样品的表面金属杂质含量,发现氢离子注入引入的微空洞缺陷近距离吸杂能较大程度的减少表面金属沾污

关键词： 硅 氢离子注入 缺陷 紫外荧光

作者: 曾庆城 王水凤 李建明 曾宇昕 徐嘉东 杨占坤 种明 胡传贤

作者单位: 南昌大学物理系(南昌) 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 168-170

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）