对N型InP做氦和氖双离子注入的电特性研究

摘要：

本实验针对N型InP做氦和氖双离子注入及随后的退火,并用C-V测试方法测量样品中缺陷的电特性,测量结果显示,氦和氖双离子注入在InP中引起的损伤可以形成表层P型导电区域,经过400℃3.3分钟的退火,P型导电区可以得到相当的恢复而形成一种NPN的电结构.特别是中间的P区很薄,这个薄的P区可用于三极管的薄基区.

关键词： InP 离子注入 C-V测试 缺陷

作者: 徐嘉东 李建明 张秀兰

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 166-167

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）