硅微尖端的研制和应用

摘要：

利用半导体微细加工工艺,在硅片上制作出高150μm、尖端直径小于1μm的硅尖端阵列.还成功地研制了高1.5μm、尖端直径小于0.2μm的场致发射硅微尖端,并测试了其三级管特性.为了使每个尖端更加尖锐,除采用电子束曝光、反应离子刻蚀等传统的硅纳米微细加工工艺外,还成功地尝试了锐化等方法.同时,我们探索了硅尖端在不同领域的应用.

关键词： 尖端 场致发射 反应离子刻蚀 电子束曝光 锐化 微细加工工艺 硅尖端

作者: 高钧 王理明

作者单位: 中科院电工研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 158-161

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）