单电子晶体管的原理及其与传统硅集成电路工艺相兼容的加工方法

摘要：

单电子晶体管(SET)是一种基本的单电子器件,基于库仑阻塞效应和量子隧穿效应工作,具有库仑振荡效应和库仑台阶效应等量子效应.本文重点介绍采用电子束光刻(EBL)技术、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术及图形相关氧化(PADOX)等硅工艺技术制作出源、漏、栅电极形成单电子晶体管的方法.该方法提供了一种新颖、可靠的制作单电子晶体管的工艺手段.

关键词： 单电子晶体管 库仑阻塞效应 硅工艺 电子束光刻 图形相关氧化

作者: 龙世兵 刘明 陈宝钦

作者单位: 中国科学院微电子中心微细加工及纳米技术研究室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 145-149

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）