采用电子束/I线混合光刻技术制备0.25微米射频SOI NMOS器件的研究

摘要：

该项研究基于中科院微电子中心深亚微米硅工艺平台,采用了电子束和I线混合光刻加工技术,成功的试制了0.25um SOI NMOS射频器件,阈值电压0.4-0.45伏,沟道导通跨导Gm为195-200ms/mm,特征频率为17.8GHz,展示了该项加工技术在射频前端集成电路开发上的应用前景.

关键词： 射频 SOI 电子束 光刻技术

作者: 李俊峰 赵玉印 柴淑敏 刘明 徐秋霞 钱鹤

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 100-103

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）