Φ4″NTDCZ硅单晶的研制

摘要：

采用中子辐照掺杂直拉硅单晶(NTDCZ)技术生产高均匀性电阻率的Φ4″晶体,合理的后退火工艺是消除氧热施主和辐照施主干扰电阻率均匀性的关键,850℃4小时退火、适当的冷却工艺是获得高质量单晶比较合适的条件.

关键词： 硅单晶 中子辐照掺杂直拉硅单晶 Φ4″晶体 后退火工艺

作者: 胡元庆 刘铁驹 马巧云 杨帅

作者单位: 天津市环欧半导体材料技术有限公司(天津) 河北工业大学材料学院(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 97-99

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）