会议专题

Φ6″区熔硅单晶的生长

本文主要介绍了Φ6″区熔硅单晶无位错、无旋涡缺陷的生长工艺及热系统的设计,并对大直径区熔单晶生长过程的几个关键性问题进行了讨论.

Φ6″区熔硅单晶 生长工艺 单晶生长

高树良 沈浩平 刘为钢

天津市环欧半导材料技术有限公司(天津)

国内会议

第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

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2003-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)