Φ6″区熔硅单晶的生长

摘要：

本文主要介绍了Φ6″区熔硅单晶无位错、无旋涡缺陷的生长工艺及热系统的设计,并对大直径区熔单晶生长过程的几个关键性问题进行了讨论.

关键词： Φ6″区熔硅单晶 生长工艺 单晶生长

作者: 高树良 沈浩平 刘为钢

作者单位: 天津市环欧半导材料技术有限公司(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 93-96

在线出版日期: 2003-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）